熱釋光探測(cè)器是利用熱致發(fā)光原理測(cè)量核輻射的裝置。具有晶體結(jié)構(gòu)的某些固體，常含有多種晶格缺陷(如一些原子或離子缺位或加入某些外來雜質(zhì)等)，它們能吸引異性電荷形成"陷阱"。當(dāng)射線照射時(shí)，在固體中產(chǎn)生的電子和正離子被其俘獲。檢測(cè)時(shí)加熱固體，則釋放的電子和正離子與固體其他部分的異性電荷復(fù)合并發(fā)光。其發(fā)光光線穿過并導(dǎo)光電倍增管產(chǎn)生光電流，再經(jīng)直流放大器放大，后通過記錄器記錄。

　　熱釋光探測(cè)器具有體積小能量響應(yīng)好，靈敏度高，使用方便，可測(cè)α、β、γ、X、n等多種射線的優(yōu)點(diǎn)。與通常采用的電離室或膠片等方法比較還具有組織等效性好，可測(cè)較長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)積累的劑量，性能穩(wěn)定等優(yōu)點(diǎn)。

　　熱釋光探測(cè)器的使用：

　　熱釋光元件可以重復(fù)使用。但是，經(jīng)核輻射照射后的熱釋光體只允許一次加熱測(cè)量，因?yàn)榧訜岷螅瑑?chǔ)存的信息就被破壞了，不能復(fù)查測(cè)量結(jié)果。在劑量監(jiān)測(cè)中，萬(wàn)一某次測(cè)量失誤，測(cè)量結(jié)果就被丟失。要再次使用時(shí)，熱釋光體要用高溫退火。對(duì)不同材料，退火溫度不*相同。如對(duì)LiF，要在400℃下保持1h，在該條件下，可使400℃下的所有發(fā)光峰陷阱中的電子全部釋放出來，而陷阱能級(jí)并不破壞。